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LPCVD設(shè)備是半導(dǎo)體集成電路制造的重要設(shè)備之一，主要用于Poly, D/P Poly, SiN,SiO2薄膜的生長(zhǎng)。
適用領(lǐng)域： ?單晶生長(zhǎng)、多晶熱沉 Relevant Industries: Single Crystal Growth, Polycrystalline Heat Sink Fabrication 適用材料: ?Diamond Suitable for Processing: Diamond 晶圓尺寸: ?8/6/4/3/2英寸 Wafer Size: 8/6/4/3/2 inch
專用于硅-碳化合物(SiC）氧化處理，可實(shí)現(xiàn)SiC片高溫環(huán)境下完成高溫氧化工藝。氧化工藝使用O2,O2/H2，N2O，NO是最安全的毒性氣體氧化爐，設(shè)備適用于SiC基功率器件制造中的高溫氧化工藝環(huán)節(jié)，加熱腔與工藝腔獨(dú)立密閉設(shè)計(jì)，提供工藝腔的潔凈度。
? 用于氮化鎵(GaN)單晶生長(zhǎng) ? 用于氧化鎵(Ga?O?)、氮化鋁(AIN)、磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)外延生長(zhǎng)
? 用于氮化鎵(GaN)單晶生長(zhǎng) ? 用于氧化鎵(Ga?O?)、氮化鋁(AIN)、磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)外延生長(zhǎng)
? 本設(shè)備主要用于碳化硅(SiC) 、氮化鋁(AIN) 單晶生長(zhǎng)