產(chǎn)品展示
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? PECVD主要應(yīng)用于氧化硅(SiO?) 和氮化硅(SiN4) 材料的薄膜生長(zhǎng)，工作原理是在低壓引入高頻射頻電源，采取電容耦合方式使工藝氣體電離放電，形成等離子體狀態(tài)，產(chǎn)生大量的活性基團(tuán)，這些活性基團(tuán)在襯底材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并沉積到襯底表面，生長(zhǎng)出氧化硅(SiO?) 或氮化硅(SiN4) 薄膜
? 該設(shè)備是半導(dǎo)體生產(chǎn)線(xiàn)前工序的重要工藝設(shè)備之一，用于大規(guī)模集成電路、分立器件、電力電子、光電器件等行業(yè)的擴(kuò)散、氧化、退火、合金和燒結(jié)等工藝 ? 設(shè)計(jì)了硅片生產(chǎn)的多種工藝性能需要，具有生長(zhǎng)效率高、產(chǎn)品性能優(yōu)越的特點(diǎn) ? 具有污染低、占地面積小、溫度均勻、可裝載晶圓尺寸大、工藝穩(wěn)定性高等優(yōu)點(diǎn) ? 主要用于初始氧化層、屏蔽氧化層、襯墊氧化層、犧牲氧化層、場(chǎng)氧化層等多種氧化介質(zhì)層的制備工藝
◆ 主要用于半導(dǎo)體器件退火及燒結(jié)等工藝，可進(jìn)行真空、氣體保護(hù)等 ◆ 設(shè)備結(jié)構(gòu)新穎,操作方便 ◆ 在一臺(tái)設(shè)備上可以完成多個(gè)工藝流程
◆ 氣相外延是一種單晶薄層生長(zhǎng)方法 ◆ 氣相外延廣義上是化學(xué)氣相沉積的一種特殊方式，其生長(zhǎng)薄層的晶體結(jié)構(gòu)是單晶襯底的延續(xù)，而且與襯底的晶向保持對(duì)應(yīng)的關(guān)系 ◆ 在半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展中，氣相外延發(fā)揮了重要作用 ◆ 砷化蹤(GaAs)氣相外延技術(shù)生長(zhǎng)的砷化鯨(GaAs)純度高、電學(xué)特性好，廣泛的應(yīng)用于霍爾器件、耿氏二極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管等微波器件中
◆ 直拉法晶體生長(zhǎng)專(zhuān)用設(shè)備，可實(shí)現(xiàn)在高壓、真空和保護(hù)氣氛下直拉生長(zhǎng)晶體 ◆ 采用自動(dòng)稱(chēng)重結(jié)構(gòu)，在保證晶體品質(zhì)的前提下實(shí)現(xiàn)了直拉晶體的自動(dòng)生長(zhǎng)過(guò)程
◆ 快速退火爐是利用紅外熱輻射實(shí)現(xiàn)快速加熱的一種半導(dǎo)體熱處理工藝設(shè)備，通過(guò)燈光輻射型熱源功率控制模塊裝置和專(zhuān)用燈組對(duì)位于工藝腔體的半導(dǎo)體硅片進(jìn)行快速加熱來(lái)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的升溫過(guò)程