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本設備主要是用于制備單晶金剛石。可激發高穩定度的等離子團，從而確保單晶生長的持續性，為合成大尺寸單晶金剛石提供有力保證。
適用領域： ?單晶生長 Relevant Industries:Single Crystal Growth 適用材料: ?Ga2O3、GaAs、InP等 Suitable for Processing: Ga2O3 (Gallium Oxide), GaAs (Gallium Arsenide), InP (Indium Phosphide) etc. 晶圓尺寸: ?12/8/6英寸 Wafer Size: 12/8/6 inch
適用領域：單晶生長、外延生長 Relevant Industries: Single Crystal Growth, Epitaxial Growth 適用材料: ?GaN（單晶）、AIN（單晶/外延）、Ga2O3（外延）、GaAs（外延） Suitable for Processing: GaN (single crystal),AlN (single crystal / epitaxial)Ga2O3 (epitaxial), GaAs (epitaxial) 晶圓尺寸: ?12/8/6/4英寸 Wafer Size: 12/8/6/4 inch
適用領域：單晶生長、外延生長 Relevant Industries: Single Crystal Growth, Epitaxial Growth 適用材料: ?GaN（單晶）、AIN（單晶/外延）、Ga2O3（外延）、GaAs（外延） Suitable for Processing: GaN (single crystal),AlN (single crystal / epitaxial)Ga2O3 (epitaxial), GaAs (epitaxial) 晶圓尺寸: ?12/8/6/4英寸 Wafer Size: 12/8/6/4 inch
本設備主要用于砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物晶體生長。設備由機架、安瓿支撐機構、加熱器和控制系統組成，能夠實現安瓿移動和轉動的精確控制。
本設備主要用于氧化鎵（Ga2O3）單晶生長，將原料放在留有狹縫的模具中，熔液借虹吸作 用上升到模具頂部，受籽晶誘導結晶生長成單晶。