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地址：濟南市槐蔭區濟南寬禁帶半導體產業園
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導模法長晶爐
本設備主要用于氧化鎵（Ga2O3）單晶生長，將原料放在留有狹縫的模具中，熔液借虹吸作 用上升到模具頂部，受籽晶誘導結晶生長成單晶。
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