產品分類
垂直布里奇曼法（VB）爐（非銥技術）
所屬分類：
化合物晶體設備
布里奇曼法單晶生長設備(VB、VGF)
概要：
適用領域： ?單晶生長 Relevant Industries:Single Crystal Growth 適用材料: ?Ga2O3、GaAs、InP等 Suitable for Processing: Ga2O3 (Gallium Oxide), GaAs (Gallium Arsenide), InP (Indium Phosphide) etc. 晶圓尺寸: ?12/8/6英寸 Wafer Size: 12/8/6 inch
關鍵詞：
坩堝下降法（vb）長晶爐
垂直布里奇曼法（VB）爐（非銥技術）
產品應用/Product Applications：
適用領域： 單晶生長
Relevant Industries:Single Crystal Growth
適用材料: Ga2O3、GaAs、InP等
Suitable for Processing: Ga2O3 (Gallium Oxide), GaAs (Gallium Arsenide), InP (Indium Phosphide) etc.
晶圓尺寸: 12/8/6英寸
Wafer Size: 12/8/6 inch
技術指標 /Technical Parameters：
加熱溫度：2200℃
Heating Temperature: 2200℃
加熱方式：感應/電阻
Heating Method: Induction/Resistance
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HVPE 法單晶生長設備 —臥式
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